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颁 证 日：
优 先 权：
2001.10.23 JP 324357/2001
申请(专利权)人：
株式会社日立制作所
地 址：
日本东京
发 明 (设计)人：
山岡雅直;石橋孝一郎;松井重纯
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代 理 人：
王永刚
摘要
本发明涉及混合装配有逻辑电路和SRAM电路的系统LSI，特别是涉及减小漏电流，减小备用状态的功耗的半导体器件。在系统LSI中的逻辑电路上设置电源开关，在备用时，切断该开关以减小漏电流。同时，在SRAM电路中，控制衬底偏压以减小漏电流。
主权项
权利要求书
1.一种半导体器件，具有：
具备多个MIS晶体管的逻辑电路；
连接到上述逻辑电路内的MIS晶体管的动作电位供给点与电源
线之间的第1开关；
具备多个静态型存储单元的存储单元阵列；
根据状态改变构成上述存储单元的MIS晶体管的衬底电位的控
制电路。
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