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分 类 号：
H01L21/108;H01L21/31;H01L21/471;C23C16/34
颁 证 日：
优 先 权：
申请(专利权)人：
上海华虹（集团）有限公司
地 址：
200020上海市淮海中路918号18楼
发 明 (设计)人：
徐小诚;缪炳有
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
上海正旦专利代理有限公司
代 理 人：
陶金龙;陆飞
摘要
本发明是一种CVD淀积TiN薄膜的集成电路制造工艺，是用化学汽相淀积(CVD)方法，利用含Ti的化学物质TDMA，淀积一层TiN薄膜。并在原位进行H2-N2射频等离子处理。第一步淀积工艺的目的是制备出均匀的、具有较高的台阶覆盖率的TiN薄膜，而第二步H2-N2射频等离子处理则是为了减小CVD淀积的TiN薄膜中碳、氧、和氢等杂质的含量，降低电阻率，使TiN晶粒均匀生长，并使TiN薄膜增密。用这种方法淀积的TiN，具有良好的台阶覆盖，均匀的电阻分和膜厚均匀性，能显著改善Al金属导线的电迁移性能。TiN还是Cu的阻挡层，可用于Cu金属化工艺，实现Cu金属大马士革互联技术。
主权项
权利要求书
1、一种CVD淀积TiN阻挡层的方法，其特征在于，第一步，用CVD方法，采用He气
携带含Ti的化学物质TDMA，在真空条件下，通过热分解淀积一层TiN薄膜；第二步，在
原位进行H2-N2射频等离子处理，反复循环上述步骤直至达到设定的TiN沉积厚度。
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