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分 类 号：
H01L21/20;H01L21/324;G02F1/00
颁 证 日：
优 先 权：
1992.6.26 JP 193005/1992;1992.8.27 JP 252295/1992
申请(专利权)人：
株式会社半导体能源研究所
地 址：
日本神奈川县
发 明 (设计)人：
山崎舜平;张宏勇;石原浩朗
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
中国专利代理(香港)有限公司
代 理 人：
叶恺东
摘要
一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：在整个衬底上制备半导体膜；制备具有垂直于激光束传播方向的截面的激光束；调节激光，使其在第一方向的截面增加，在垂直于所述第一方向的第二方向的截面减小；用调节过的激光束照射半导体膜；和改变半导体膜相对于调节过的激光束在第二方向的位置；激光束的调节包括：在第一方向扩大激光束的截面；在第一方向均匀化激光束的能量分布；在第二方向均匀化激光束的能量分布；在第二方向会聚激光束的截面。
主权项
权利要求书
1.一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：
在整个衬底上制备半导体膜；
制备具有垂直于激光束传播方向的截面的激光束；
调节激光，使其在第一方向的截面增加，在垂直于所述第一方
向的第二方向的截面减小；
用调节过的激光束照射半导体膜；和
改变半导体膜相对于调节过的激光束在第二方向的位置；
其特征在于，激光束的调节包括：
只在第一方向扩大激光束的截面；
只在第一方向均匀化激光束的能量分布；
只在第二方向均匀化激光束的能量分布；
只在第二方向会聚激光束的截面。
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