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分 类 号：
H01L21/20;H01L21/302
颁 证 日：
优 先 权：
2001.10.25 JP 2001－327710;2001.12.4 JP 2001－370129
申请(专利权)人：
松下电器产业株式会社
地 址：
日本大阪府
发 明 (设计)人：
高桥邦方;内田正雄;北畠真;横川俊哉
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
中科专利商标代理有限责任公司
代 理 人：
汪惠民
摘要
本发明提供了一种具有平坦界面和上表面的半导体薄膜的生长方法和具有优异特性的半导体元件。该方法是在纵向薄膜生长装置内设置对上表面进行了平坦化处理的SiC主体衬底(11)，在惰性气体环境中加热。接着，在衬底温度1200℃～1600℃之间，供给流量1mL/min的原料气体。接着，在1600℃的温度下，把稀释气体变为氢气，供给Si和碳的原料气体，和间歇地供给氮，据此在SiC主体衬底(11)之上层叠SiC薄膜。这样，能形成上表面以及内部的界面的台阶高度的平均值被平坦化为30nm以下的δ掺杂层的层叠结构，所以使用它，能实现耐压高、移动度大的半导体元件。
主权项
权利要求书
1.一种半导体衬底，其中，具有SiC主体衬底、以及设置在所述SiC
主体衬底的上方的包含杂质的SiC堆积层；
当所述SiC堆积层的厚度为t，所述SiC堆积层的上表面的台阶高度
为h时，所述台阶高度和所述SiC堆积层厚度之比h/t在10-6以上10-1以
下的范围内，并且所述台阶高度为10nm以下。
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