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分 类 号：
H01L21/324
颁 证 日：
优 先 权：
1992.6.26 JP 193005/1992;1992.8.27 JP 252295/1992
申请(专利权)人：
株式会社半导体能源研究所
地 址：
日本神奈川县
发 明 (设计)人：
山崎舜平;张宏勇;石原浩朗
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
中国专利代理(香港)有限公司
代 理 人：
叶恺东
摘要
一种制造半导体器件的方法，其特征在于，它包括下列步骤：在整个玻璃衬底上制备多个半导体岛；将所述半导体岛都掺以离子；将具有在一个方向上的细长截面的脉动准分子激光束对准所述玻璃衬底；沿垂直于所述脉动准分子激光束伸长方向的方向移动所述玻璃衬底，从而用所述脉动准分子激光束照射所述半导体岛。
主权项
权利要求书
1.一种制造半导体器件的方法，其特征在于，它包括下列步骤：
在整个玻璃衬底上制备多个半导体岛；
将所述半导体岛都掺以离子；
将具有在一个方向上的细长截面的脉动准分子激光束对准所述
玻璃衬底；
沿垂直于所述脉动准分子激光束伸长方向的方向移动所述玻璃
衬底，从而用所述脉动准分子激光束照射所述半导体岛。
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