一种双大马士革结构中铜阻挡层的淀积方法<%=id%>

分类号： H01L21/3205;H01L21/768;H01L21/283
颁证日：
优先权：
申请(专利权)人：上海华虹（集团）有限公司
地址： 200020上海市淮海中路918号18楼
发明 (设计)人：李铭
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：上海正旦专利代理有限公司
代理人：陶金龙;陆飞
摘要
　本发明是一种双大马士革结构铜阻挡层的沉积方法。铜作为新的连线材料运用在集成电路制造工艺中。由于铜对半导体器件的危害性，所以淀积铜之前，应先淀积一层阻挡层，以防止铜的扩散。目前一般采用离子化物理气相淀积工艺淀积阻挡层。阻挡层在介质层与铜之间，起到了阻止铜扩散的作用。但是，阻挡层也存在于上下两层铜之间，且阻挡层的电阻率比铜大很多，因此增加了两层铜之间的接触电阻。本发明利用现有的I-PVD工艺，将阻挡层淀积分成两步，使用不同的衬底偏压、金属靶功率和氩气流量，从而有效地减少上下两层铜之间的阻挡层厚度，并增加介质层侧壁上的阻挡层厚度，同时保证介质层上方有足够的阻挡层。
主权项
　权利要求书 1、一种在“双大马士革”结构中淀积铜阻挡层的方法，其特征是在用离子化物理气相淀积工艺淀积铜阻挡层后，不离开工艺腔室，增加反溅射+再淀积工艺，控制使介质层上方的阻挡层的厚度为25～35纳米时，其在通孔底部的厚度小于5纳米，而在介质层侧壁上的厚度大于7纳米。

设为首页 | 加入收藏 | 广告服务 | 友情链接 | 版权申明