使用金属硬罩幕的双镶嵌制程<%=id%>

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颁证日：
优先权：
申请(专利权)人：矽统科技股份有限公司
地址：台湾省新竹科学园区
发明 (设计)人：徐震球;李世达
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：北京三友知识产权代理有限公司
代理人：刘朝华
摘要
　一种使用金属硬罩幕的双镶嵌制程，半导体基底包含有一导线结构、介电分隔层、低介电常数的介电层、金属材质的第一硬罩幕以及第二硬罩幕；于第二硬罩幕中形成第一开口；于第一硬罩幕中形成第二开口，第二开口位于第一开口下方，且第二开口的口径小于第一开口的口径；将未被第一硬罩幕覆盖的介电层去除，直至曝露介电分隔层形成一介层洞；将未被第二硬罩幕覆盖的第一硬罩幕去除；将未被第一硬罩幕覆盖的介电层去除，直至到达一预定深度，于介层洞上方形成一渠沟，介层洞与渠沟构成一双镶嵌开口。具有提升导电层的填充双镶嵌开口的能力。缩短RC延迟时间、减少金属内连线之间的干扰频率，不需另外制作抗反射涂层，使制程简化及制作成本降低。
主权项
　权利要求书 1、一种使用金属硬罩幕的双镶嵌制程，其特征是：它包括下列步骤： (1)提供一半导体基底，其包含有一导线结构、一介电分隔层覆盖于该导线结构上、一低介电常数的介电层形成于该介电分隔层上； (2)该介电层表面上形成一第一硬罩幕，且该第一硬罩幕由金属材质所构成； (3)该第一硬罩幕表面上形成一第二硬罩幕； (4)该第二硬罩幕中形成一第一开口，该第一开口位于该导线结构上方； (5)该第一硬罩幕中形成一第二开口，该第二开口位于该第一开口下方，且该第二开口的口径小于该第一开口的口径； (6)将未被该第一硬罩幕覆盖的该介电层去除，直至曝露该介电分隔层，以形成一介层洞； (7)将未被该第二硬罩幕覆盖的该第一硬罩幕去除； (8)将未被该第一硬罩幕覆盖的该介电层去除，直至到达一预定深度，于该介层洞上方形成一渠沟，该介层洞与渠沟构成一双镶嵌开口。

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