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分 类 号：
H01L21/768
颁 证 日：
优 先 权：
申请(专利权)人：
上海华虹（集团）有限公司
地 址：
200020上海市淮海中路918号18楼
发 明 (设计)人：
徐小诚;缪炳有
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
上海正旦专利代理有限公司
代 理 人：
陶金龙;陆飞
摘要
本发明是一种基于Al金属布线的工艺，其主要特点是：利用物理淀积的方法，在同一台设备中连续淀积Ta、TaN、Ta、Al、TaN等多层薄膜，其中，Al金属中加入Cu和Si原子，以提高Al金属布线的抗电迁移能力。在Al层下面为复合阻挡层，可防止Al和Cu向硅片和介质中的扩散，Al金属层的淀积采用低温和高温两步法淀积。低温淀积的Al籽晶层具有良好的致密性，高温淀积Al层具有较高的、填孔性和回流效果。在Al金属层上面的TaN层，可以作为阻挡层，作为顶部覆盖层和光刻的抗反射层。这种基于Al的布线工艺，可以适用于目前Al金属布线的大规模集成电路生产线。
主权项
权利要求书
1、一种基于Al金属的布线工艺，其特征在于利用物理淀积的方法，在同一台设备
中依次连续淀积Ta、TaN、Ta、Al、TaN多层薄膜，具体步骤为：
(1) 首先淀积一层Ta阻挡层；
(2) 在Ta层上面淀积一层TaN阻挡层；
(3) 接着淀积一层Ta阻挡层；
(4) 再淀积A1层，Al淀积是用含Cu和Si的金属靶，采用低温和高温两步法淀
积；
(5) 在Al层上面淀积一层TaN阻挡层；
(6) Al金属回流。
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