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颁 证 日：
优 先 权：
申请(专利权)人：
旺宏电子股份有限公司
地 址：
台湾省新竹科学工业园区力行路16号
发 明 (设计)人：
林宏穗;赖汉昭;卢道政
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
北京集佳专利商标事务所
代 理 人：
王学强
摘要
本发明是有关于一种p型信道氮化硅只读存储器的擦除方法，此擦除方法对一个在电荷陷入层中储存有电荷的p型信道氮化硅只读存储器，在控制栅极施加一个正电压，在漏极施加一个负电压，将源极浮置以及将此p型信道氮化硅只读存储器所在的n井接地。并且使得控制栅极与漏极之间的电压差足以使p型信道氮化硅只读存储器以频带间引发热电子注入法进行擦除。
主权项
权利要求书
1.一种p型信道氮化硅只读存储器的擦除方法，其中该p型信道
氮化硅只读存储器具有一控制栅极、一源极、一漏极、以及形成有一n
井，其特征为：该方法包括下列步骤：
对该控制栅极施加一正电压，对该漏极施加一负电压，将该源极
浮置以及将该n井接地。
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