引线框架,其制造方法与使用其的半导体器件制造方法<%=id%>

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颁证日：
优先权： 2001.10.26 JP 328528/2001
申请(专利权)人：新光电气工业株式会社
地址：日本长野县
发明 (设计)人：笠原哲一郎;田中秀登
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：冯谱
摘要
　在制造用于诸如四线扁平非引线封装(QFN)等无引线封装的引线框架的方法中，首先形成基框架，该基框架包括用于树脂模塑多个待安装在基框架一面上的半导体元件的一个区域，该区域被划分为凸面形，且其中对于待安装在用于树脂模塑而被划分的每一区域中的半导体元件，定义芯片垫部分和围绕芯片垫的引线部分。然后，向基框架的另一面附加胶带，且随后在对应于胶带两个相邻被划分用于树脂模塑的区域之间的一个区域部分提供分割部分。
主权项
　权利要求书 1.制造引线框架的一种方法，包括以下步骤：形成基框架，该基框架包括用于对多个在基框架的一个面上待安装的半导体元件进行树脂模塑的一个区域，该区域被划分为凸面的形状，且其中分别对待安装在用于树脂模塑每一被划分的区域的各半导体元件，定义芯片垫部分和围绕芯片垫部分的引线部分；向基框架另一面附加胶带；以及在用于树脂模塑的两个相邻被划分的区域之间对应于一个区域的部分，向胶带提供分割部分。

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