电容元件及其制造方法和半导体装置及其制造方法<%=id%>

分类号： H01L27/10;H01L21/822
颁证日：
优先权： 2001.10.26 JP 2001－329134
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社
地址：日本东京
发明 (设计)人：两角幸男
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人：余刚
摘要
　本发明提供一种使强介质膜的加工更加容易、能够控制绝缘体内空隙的发生、提高电容元件上膜的覆盖质量的电容元件及其制造方法、以及相关半导体装置及其制造方法。根据本发明的电容元件的制造方法包括以下步骤：在元件隔离膜(2)上形成下方电极(10)；在下方电极上形成第一层间绝缘膜(9)；在第一层间绝缘膜(9)内形成并位于下方电极(10)上的沟道(9a)和(9b)；在沟道内以及第一层间绝缘膜(9)上淀积强介质膜(11)；在强介质膜上和沟道内淀积导电膜(12)；以及通过对导电膜(12)、强介质膜(11)及第一层间绝缘膜(9)进行CMP研磨，在沟道内埋置强介质膜(11a)和(11b)与上方电极(12a)和(12b)。
主权项
　权利要求书 1. 一种电容元件，其特征在于包括：在第一绝缘膜上形成的下方电极；在所述下方电极上形成的第二绝缘膜；在所述第二绝缘膜内形成并位于所述下方电极上的沟道；在所述沟道内形成并配置于所述下方电极上的强介质膜；以及在所述沟道内形成并配置于所述强介质膜上的上方电极。

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