通过形成带有半球状硅的硅电极来制造电容器的方法<%=id%>

分类号： H01L21/02
颁证日：
优先权： 1999.10.27 US 09/427,991
申请(专利权)人：因芬尼昂技术北美公司
地址：美国加利福尼亚州
发明 (设计)人： H·H·图斯 ·李
国际申请： CT/US00/28315 2000.10.13
国际公布： WO01/31692 英 2001.5.3
进入国家日期： 2002.06.27
专利代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
代理人：郑立柱;梁永
摘要
　提供了一种制造电容器的方法，其中至少一部分硅表面是非晶化的。接下来将非晶化的硅表面进行退火处理，从硅表面的非晶化部分形成半球状硅颗粒(HSG)，从而形成电容器的至少一部分第一电极。接下来在半球状硅颗粒之上形成电容器介质。然后在电容器介质之上形成第二电极。
主权项
　权利要求书 1.一种制造电容器的方法，包括：提供一个硅表面，非晶化至少一部分硅表面，将非晶化了的硅表面进行退火处理，从硅表面非晶化了的部分形成半球状硅颗粒，形成电容器第一电极的一部分，在半球状硅颗粒之上形成电容器介质，以及在电容器介质之上形成第二电极。

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