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分 类 号：
H01L21/304 24B37/00;C09K3/14
颁 证 日：
优 先 权：
1999.11.4 JP 313553/1999
申请(专利权)人：
清美化学股份有限公司
地 址：
日本神奈川县
发 明 (设计)人：
砂原一夫;次田克幸;真丸幸惠
国 际 申 请：
CT/JP00/07725 2000.11.2
国 际 公 布：
WO01/33620 日 2001.5.10
进入国家日期：
2002.07.01
专利 代理 机构：
上海专利商标事务所
代 理 人：
胡烨
摘要
本发明提供了在半导体器件制造的CMP工艺中，能抑制金属层过度氧化、对金属层和/或阻挡层等进行研磨、且能根据不同用途调节研磨速度的研磨剂及研磨方法。使含有抛光磨料和肽的研磨剂与氧化剂一起悬浮于水系介质中，将pH调整到7以上，制成研磨剂浆液。使该研磨剂浆液负载于CMP装置的研磨布上，然后对半导体基板上形成的Cu等金属层和/或阻挡层等进行研磨。
主权项
权利要求书
1.研磨剂，所述研磨剂用于半导体器件制造工艺中的化学机械研磨，其
特征在于，含有抛光磨料和肽，对在半导体基板上形成的金属层和/或阻挡层
进行研磨。
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