在原子层沉积过程中使寄生化学气相沉积最小化的装置和原理<%=id%>

分类号： H01L21/44;C23C16/00
颁证日：
优先权： 1999.12.17 US 09/466,100
申请(专利权)人：杰努斯公司
地址：美国加利福尼亚州
发明 (设计)人： O·斯讷;C·高勒维斯克
国际申请： CT/US00/32016 2000.11.21
国际公布： WO01/45158 英 2001.6.21
进入国家日期： 2002.07.04
专利代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：王杰
摘要
　公开了在层积中，例如原子层沉积(ALD)和其它顺序化学沉积(CVD)过程中，避免沉积膜的污染的新方法和装置，其中ALD膜的CVD沉积污染通过使用一种有效地使污染物气体在通入ALD腔室之前在气体输送装置的壁元件上沉积的预热反应室来防止。
主权项
　权利要求书 1.在原子层沉积过程中将寄生化学气相沉积减至最小的方法，其包括如下步骤： (a)在气体源和所要镀覆的基体之间设置预反应室；和 (b)在所述预反应室中将一表面加热至足以使污染物元素通过CVD 反应沉积在所述加热表面上的温度。

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