消除隔离沟槽拐角晶体管器件的间隔层工艺<%=id%>

颁证日：
优先权： 1999.11.2 US 09/432,063
申请(专利权)人：因芬尼昂技术北美公司
地址：美国加利福尼亚州
发明 (设计)人： J·沃尔拉斯
国际申请： CT/US00/30089 2000.11.1
国际公布： WO01/33627 英 2001.5.10
进入国家日期： 2002.07.01
专利代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
代理人：杨凯;梁永
摘要
　一种用于形成防止在晶体管中形成寄生拐角器件的间隔层的方法，所述方法包括：在半导体衬底中蚀刻一些沟槽以便形成有源区；用第一介质材料给所述沟槽和有源区加衬面；用第二介质材料填充所述沟槽以便形成邻近有源区的浅沟槽隔离区。从有源区上去除第一介质材料，并且在有源区和浅沟槽隔离区之间形成有小区的有源区上形成栅极氧化物层。向有源区注入掺杂物形成晶体管的源极和漏极。在注入工序之后，在栅极氧化物层上淀积由第三介质材料形成的间隔层以便填入小区。各向异性地蚀刻间隔层以便在小区中形成间隔层，从而防止栅极导体材料进入小区，并且通过间隔层将栅极导体材料与有源区的拐角分隔开，从而防止形成寄生拐角器件。
主权项
　权利要求书 1.一种用于形成防止在晶体管中形成寄生拐角器件的间隔层的方法，所述方法包括以下步骤：在半导体衬底中蚀刻一些沟槽以便形成有源区；用第一介质材料给所述沟槽和所述有源区加衬面；通过用第二介质材料填充所述沟槽而形成邻近所述有源区的浅沟槽隔离区；从所述有源区去除所述第一介质材料；在所述有源区和所述浅沟槽隔离区之间形成有小区的所述有源区上形成栅极氧化物层；向所述有源区注入掺杂物以便形成所述晶体管的源极和漏极；所述注入工序之后，在所述栅极氧化物层上淀积由第三介质材料形成的间隔层以便填充所述小区；各向异性蚀刻所述间隔层以便在小区中形成间隔层，从而防止栅极导体材料进入所述小区，通过所述间隔层把所述栅极导体材料与所述有源区的拐角分隔开，从而防止形成寄生拐角器件。

设为首页 | 加入收藏 | 广告服务 | 友情链接 | 版权申明