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分 类 号：
H01L31/18;H01L31/068;H01L31/0224;H01L21/228;H01L31/0288
颁 证 日：
优 先 权：
1999.11.23 US 60/167,358;2000.3.29 US 09/538,034
申请(专利权)人：
荏原太阳能公司
地 址：
美国宾夕法尼亚州
发 明 (设计)人：
丹尼尔·L·迈耶;休伯特·P·戴维斯
国 际 申 请：
CT/US00/32257 2000.11.22
国 际 公 布：
WO01/41221 英 2001.6.7
进入国家日期：
2002.06.28
专利 代理 机构：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代 理 人：
刘国平
摘要
本发明提供一种用于产生与硅装置自掺杂接触的系统和方法，其中该接触金属被涂覆一层杂质，并经过高温，从而使银与硅形成合金，同时掺入硅基板，形成与硅基板的低电阻欧姆接触。可以从未合金化的银来形成自掺杂负接触，可以通过溅射、丝网印刷一种糊或蒸发来将银施加给硅基板。该银涂覆有一层杂质。一旦完成涂覆，将银、基板、和杂质加热到高于Ag-Si低共熔温度(但低于硅的熔点)。与硅基板的低共熔部分相比，银溶解的更多。然后将温度朝低共熔温度降低。随着温度的降低，通过液相外延熔融的硅再次形成，杂质原子被加入到再次生长的硅晶格中。一旦温度降到银-硅低共熔温度以下，没有通过外延再次生长而被加入基板中的硅与银形成固相合金。该银与硅的合金是最终的接触材料，包括硅和银的低共熔部分。在低共熔部分中，显然在最终的接触材料中银比硅要多，从而确保最终接触材料良好的导电性。
主权项
权利要求书
1、一种制造接触的方法，其包括：
提供具有半导体表面的半导体；
向该半导体的至少一部分表面施加一个银层；
向该银层的至少一部分施加一种杂质，该杂质能够掺入该半导体中；
将该半导体表面、银层、和杂质加热至第一温度；
保持该第一温度直到至少部分银层、部分杂质、和部分半导体表面形
成熔融合金为止；以及
将该熔融合金冷却到低于第一温度的第二温度，使得熔融合金中所包
含的至少一部分杂质被加入到至少一部分半导体的外延再次生长区域中，
熔融合金形成基本上为固体的包含半导体原子和杂质原子的第一区域和
基本上为固体的包含银原子和杂质原子的第二区域，并且在该基本上为固
体的第二区域的至少一部分与该外延再次生长区域的至少一部分之间形
成欧姆电接触。
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