一种用作集成电路封装基板材料的制造方法<%=id%>

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颁证日：
优先权：
申请(专利权)人：上海大学
地址： 200072上海市闸北区延长路149号
发明 (设计)人：方志军;夏义本;王林军
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：上海上大专利事务所
代理人：王正
摘要
　本发明涉及一种用作集成电路封装基板材料的制造方法，它是以氧化铝陶瓷为基材，其特征是在该基材上沉积有金刚石薄膜，而制成金刚石膜/氧化铝双层结构基板材料，其工艺方法是采用热丝化学气相沉积法在氧化铝陶瓷上生长金刚石薄膜，即以钨丝作为加热源，采用乙醇和氢气为反应物，在真空减压条件下使反应室内放置的氧化铝陶瓷基材上沉积金刚石薄膜。
主权项
　权利要求书 1.一种用作集成电路封装基板材料的制造方法，它是以氧化铝陶瓷为基材，其特征是在该基材上沉积有金刚石薄膜，而制成金刚石/氧化铝双层结构基板材料，其工艺方法是采用热丝化学气相沉积法在氧化铝陶瓷上生长金刚石薄膜，即以钨丝作为加热源，采用乙醇和氢气为反应物，在真空减压条件下，使沉积反应室内放置的氧化铝陶瓷基材上沉积金刚石薄膜。

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