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证 日：
优 先 权：
2001.10.30 JP 333325/2001
申请(专利权)人：
瓦克硅电子股份公司
地 址：
联邦德国布格豪森
发 明 (设计)人：
岸田丰;玉木辉幸;竹林圣记;大桥渡
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
永新专利商标代理有限公司
代 理 人：
过晓东
摘要
一种以Czochralski法为基础的单晶制造方法，其中控制坩埚转动次数与晶体的转动次数或两者之一，以免驱动熔化物的振动次数是在熔化物晃动共振振动次数的95％至105％的范围内，所述的驱动熔化物的振动次数是以单晶生长过程中的坩埚转动次数及晶体转动次数为基础所测定的，如果驱动熔化物的振动次数是在熔化物晃动共振振动次数的95％至105％的范围内，控制坩埚转动次数及晶体转动次数或其中之一，以免当振动次数是在该范围内期间因晃动而引起的熔化物振动次数会超过2000次。
主权项
权利要求书
1.一种以Czochralski法为基础的单晶制造方法，其中控制坩
埚转动次数与晶体的转动次数或两者之一，以免驱动熔化物的振动
次数是在熔化物晃动共振振动次数的95％至105％的范围内，所述
的驱动熔化物的振动次数是以单晶生长过程中的坩埚转动次数及晶
体转动次数为基础所测定的。
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