曝光方法和曝光装置<%=id%>

分类号： G03F7/20
颁证日：
优先权： 2001.11.2 JP 338169/2001
申请(专利权)人：株式会社东芝
地址：日本东京
发明 (设计)人：藤泽忠仁;浅野昌史;东木达彦
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：北京市中咨律师事务所
代理人：陈海红;于静
摘要
　在扫描曝光时，校正缝隙分量的弯曲分量，以提高成品率。本发明的曝光方法包括：测定所述曝光光不照射的计测区域中的与所述光学系统的光轴方向有关的位置分布的步骤(S103)；将测定的位置分布分离成倾斜分量和2次以上的分量的步骤(S104)；在所述曝光光照射所述计测区域时，根据分离的倾斜分量，来调整被曝光区域面的与所述光学系统的光轴方向有关的位置，同时根据分离的2次以上的分量，来校正所述光学系统的成像特性的步骤(S107)。
主权项
　权利要求书 1.一种曝光方法，在通过原版相对于曝光光移动，同步地，晶片相对于通过了光学系统的曝光光移动，从而对所述晶片上的被曝光区域进行扫描曝光的曝光方法中，其特征在于，包括：测定所述曝光光不照射的计测区域的与所述光学系统的光轴方向有关的位置分布的步骤；将测定的位置分布分离为倾斜分量和2次以上的分量的步骤；以及在所述曝光光照射所述计测区域时，根据分离的倾斜分量，来调整与被曝光区域面的所述光学系统的光轴方向有关的位置，同时根据分离的2 次以上的分量，来校正所述光学系统的成像特性的步骤。

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