|
|
|
|
|
|
|
|
r>分 类 号：
G11C11/34;G11C11/4074
颁 证 日：
优 先 权：
2001.10.29 JP 331396/2001
申请(专利权)人：
三菱电机株式会社
地 址：
日本东京都
发 明 (设计)人：
山内忠昭;冈本武郎;松本淳子;田增成
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
中国专利代理(香港)有限公司
代 理 人：
刘宗杰;叶恺东
摘要
在具有深度功率降低模式的半导体存储器中，在接通内部电压时，正确而且可靠地生成内部电压。在生成控制深度功率降低模式的断电使能信号(PCUTe)的电平变换电路(960)的输出部上，设置在接通电源时将该电平变换电路的输出信号设定为规定的去活状态的初始化电路。该初始化电路例如包括：电容元件(2)，被连接在电平变换电路(960)的输出节点上，在接通电源时上拉该输出节点的电压；以及锁存电路(3，4)，锁存该输出节点的电压电平。在接通电源时，该初始化电路强制性地去活断电使能信号，生成外围电源电压，根据控制电路(904)的输出信号来初始设定电平变换电路的内部节点。
主权项
权利要求书
1、一种半导体装置，包括：
控制电路，接受第1电源电压作为工作电源电压，根据工作模式
指示来生成第1电源控制信号；
电平变换电路，用于将上述第1电源控制信号变换为振幅为第2
电源电压电平的电源控制信号并输出；
初始化电路，用于在接通上述第2电源电压时将上述电平变换电
路的输出信号设定为规定的电压电平；及
电源电路，根据上述第2电源控制信号被选择性地激活，在激活
时，由上述第2电源电压来生成上述第1电源电压。
|
|
|
|
|
设为首页 | 加入收藏 | 广告服务 | 友情链接 | 版权申明
Copyriht 2007 - 2008 © 科普之友 All right reserved |
