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    半导体存储器<%=id%>

    br>分 类 号: G11C11/40
    颁 证 日:
    优 先 权: 2001.10.30 JP 332232/2001
    申请(专利权)人: 株式会社东芝
    地 址: 日本东京都
    发 明 (设计)人: 川澄笃
    国 际 申 请:
    国 际 公 布:
    进入国家日期:
    专利 代理 机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
    代 理 人: 王永刚
    摘要
      一种半导体存储器,其特征在于,具备:在第1方向上并排配置的多个块,每个块由在第2方向上并排多个区段来构成,各区段分别具有将多个单元构成的单元阵列分割为多个的各单元组和对于对应的单元组进行读写控制的单元组控制电路,且各区段相互独立地工作;数据线,在上述第2方向上延伸,共同地连接相同块内的上述多个区段,对上述多个区段传递数据;以及信号线,通过上述多个块上在上述第1方向上延伸,传递对上述区段进行读写控制的控制信号、选择上述区段的地址信号和传递给其它的上述区段的信号中的至少一种信号。
    主权项
      权利要求书 1.一种半导体存储器,其特征在于,具备: 在第1方向上并排配置的多个块,每个块由在第2方向上并排多 个区段来构成,各区段分别具有将多个单元构成的单元阵列分割为多 个的各单元组和对于对应的单元组进行读写控制的单元组控制电路, 且各区段相互独立地工作; 数据线,在上述第2方向上延伸,共同地连接相同块内的上述多 个区段,对上述多个区段传递数据;以及 信号线,通过上述多个块上在上述第1方向上延伸,传递对上述 区段进行读写控制的控制信号、选择上述区段的地址信号和传递给其 它的上述区段的信号中的至少一种信号。
         

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