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颁 证 日：
优 先 权：
2001.10.29 JP 330753/2001
申请(专利权)人：
三菱电机株式会社
地 址：
日本东京都
发 明 (设计)人：
山内忠昭;冈本武郎;松本淳子
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
中国专利代理(香港)有限公司
代 理 人：
刘宗杰;叶恺东
摘要
本发明的课题是降低室温条件下自更新时的消耗电流。在决定发出更新请求(PHY)的更新定时器(912)的工作电流的电流源(3)中，提供具有正温度依赖性的偏压BIAST，使得该电流源(3)的驱动电流具有正温度特性。由此，温度上升时，缩短更新定时器的更新周期的发出间隔，另外，在温度降低时，加长更新请求的发出间隔，降低室温下的更新的消耗电流。
主权项
权利要求书
1.一种半导体存储器，该半导体存储器需要进行存储数据的更
新，其特征在于：
具备：
发生具有温度依赖性的基准电压的基准电压发生电路；以及
由上述基准电压发生电路发生的基准电压规定工作速度，激活时进
行振荡工作，并且在每个规定的振荡次数发出请求上述更新的更新请
求的更新请求发生电路。
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