具有备份存储器块的非易失性半导体存储器<%=id%>

颁证日：
优先权： 2001.10.29 JP 330762/2001
申请(专利权)人：三菱电机株式会社
地址：日本东京都
发明 (设计)人：杉田充
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
代理人：刘宗杰;梁永
摘要
　设置了块切换电路(14)，该电路在写入频度低的大容量存储器块(12)中存储不良存储器块的不良信息，参照已被存储的不良信息，在选择了不良存储器块的情况下选择备份存储器块(13)。
主权项
　权利要求书 1.一种非易失性半导体存储器，其特征在于，具备：存储器阵列(10)，包含多个第1存储器块(11)、第2存储器块(12)和冗余存储器块(13)，其中，上述第1存储器块(11)包含数据的改写频度高的存储单元，上述第2存储器块(12)包含数据的改写频度低的存储单元，上述冗余存储器块(13)用来置换上述多个第1存储器块中的不良存储器块；控制电路(30)，用来在对于各上述多个第1存储器块的数据写入处理时判定是否产生了作为数据写入对象的各上述多个第1存储器块的不良，在检测出不良的情况下，在上述第2存储器块的第1区域中存储表示上述不良存储器块用的不良信息；以及选择电路(20)，用来根据在上述第2存储器块的上述第1区域中存储了的上述不良信息和表示各上述多个第1存储器块的选择用的选择信息，伴随上述不良存储器块的选择来选择上述冗余存储器块。

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