无电弧高分子PTC热敏电阻器及其制造方法<%=id%>

颁证日：
优先权：
申请(专利权)人：上海维安热电材料股份有限公司
地址： 201206上海市浦东新金桥路201号401室
发明 (设计)人：侯李明;王军;秦玉廷;杨兆国
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：上海东亚专利代理有限公司
代理人：董梅
摘要
　本发明涉及一种以导电高分子聚合物复合材料为主要原料的无电弧高分子PTC热敏电阻器及其制造方法。本发明高分子PTC热敏电阻器的芯材由具有PTC特性的芯片和贴覆于芯片两面的金属箔片电极构成，它的电极面积小于芯片面积。与现有技术相比，本发明采用了蚀刻工艺和冲压等加工工艺，实现了高分子PTC热敏电阻器大芯片、小电极的新颖结构，增加了电极间爬电距离，减少了电极间电弧放电现象的发生，提高了其安全可靠性。
主权项
　权利要求书 1，一种无电弧高分子PTC热敏电阻器，其芯材由具有PTC特性的芯片和贴覆于芯片两面的金属箔片电极构成，其特征在于，两面的电极面积小于芯片面积。

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