一种多层膜结构的半导体栅工艺处理方法<%=id%>

颁证日：
优先权：
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司
地址： 201206上海市浦东新区金桥出口加工区川桥路1188号
发明 (设计)人：肖胜安;汪激洋;吴志丹;陈菊英
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：上海正旦专利代理有限公司
代理人：陶金龙;陆飞
摘要
　本发明是一种多层膜结构的栅工艺处理方法，具体是在栅成长之后首先成长一层掺磷浓度低的多晶硅，然后再生成一层浓度高的多晶硅，在沟槽全部填满后，再生成一层掺磷浓度低或不掺磷的多晶硅，然后进行回刻。第一层掺磷低的多晶硅在回刻后表面比较平整，以保证栅附近在回刻后不出现凹陷，使栅不受到损伤。在第三层低掺磷或不掺磷多晶硅的回刻速率低，减少回刻后沟槽中心的凹陷深度，使之在后来成长金属膜时不形成空洞。同时通过调整第一，第二层多晶硅的掺磷浓度和厚度，可以保证在回刻后获得同等的栅极电阻。
主权项
　权利要求书 1、一种多层膜结构的栅工艺处理方法，其特征在于，栅成长之后首先成长一层掺磷浓度低的多晶硅，然后再生成一层浓度高的多晶硅，在沟槽全部填满后，再生成一层掺磷浓度低或不掺磷的多晶硅，然后进行回刻。

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