加热炉与半导体基板装载治具的组合及半导体装置的制造方法<%=id%>

分类号： H01L21/205;H01L21/22;H01L21/00
颁证日：
优先权： 2001.7.26 JP 2001－225713
申请(专利权)人： F.T.L股份有限公司;崇越科技股份有限公司
地址：日本神奈川县
发明 (设计)人：高木干夫
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：北京三友知识产权代理有限公司
代理人：黄志华
摘要
　一种加热炉与半导体基板装载治具的组合，其为由耐火断热材料所构成的炉体及含有配置于炉体之内侧面的加热体所构成直立炉或横置炉，以及在其反应管的均热区内可将一片或二片之半导体基板以其面与炉的长轴方向一致，且可自由前进后退的方式装载的基板装载治具所构成的组合。此组合的特征为加热体与半导体基板的面成实质上平行。依照本发明的加热炉与半导与基板装载治具的组合进行RTP的话，加热炉之床占有面积(footprint)可变小。
主权项
　权利要求书 1、一种加热炉与半导体基板装载治具的组合，其为由耐火、断热材料所构成的炉体及含有配置于炉体之内侧面的加热体所构成的直立炉或横置炉，以及在其反应管的均热区内可将一片或二片的半导体基板以其面与炉的长轴方向一致，且可自由前进后退的方式装载的基板装载治具，所构成的组合，其特征为前述加热体与前述半导体基板的面成实质上平行。

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