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分 类 号：
H01L21/28;H01L29/45
颁 证 日：
优 先 权：
2001.10.31 JP 334897/2001
申请(专利权)人：
夏普公司
地 址：
日本大阪府
发 明 (设计)人：
笔田麻佑子;幡俊雄
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
北京市柳沈律师事务所
代 理 人：
宋莉;贾静环
摘要
本发明提供一种形成电阻性电极的方法，包括如下步骤：在n-型氮化物半导体层的表面上形成厚度为1～15纳米的铪层；在铪层上形成铝层；以及退火处理铪层和铝层，形成铪和铝混合在一起的层。
主权项
权利要求书
1.一种形成电阻性电极的方法，包括如下步骤：
在n-型氮化物半导体层的表面上形成厚度为1～15纳米的铪层；
在铪层上形成铝层；以及
退火处理铪层和铝层，形成铪和铝混合在一起的层。
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