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分 类 号：
H01L21/283;H01L21/82
颁 证 日：
优 先 权：
申请(专利权)人：
上海华虹（集团）有限公司
地 址：
200020上海市淮海中路918号18楼
发 明 (设计)人：
缪炳有;徐小诚
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
上海正旦专利代理有限公司
代 理 人：
陶金龙;陆飞
摘要
本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，具体涉及一种高介电栅介质的堆层结构。随着器件尺寸的不断缩小，当栅氧厚度＜1.5nm时，穿过栅氧的漏电流太大，不得不寻求高介电材料来替代二氧化硅。然而，单一的高介电栅材料很难满足其要求，因此，多层栅介质的组合成为一种可行的方案。本发明设计了一种栅介质双层结构，即：Al2O3/BaO+Al2O3结构。Al2O3的带隙是8.8eV，介电常数～10，导带偏移为2.8eV，与SiO2在带隙和能带组合上相似，适合作界面层，用介电常数较高的BaO(k＞20)来提高整体的介电常数值。另外，采用金属栅TiN做电极，避免了多晶硅耗尽和硼穿透。
主权项
权利要求书
1.一种高介电栅介质双层结构，其特征在于以Al2O3作为界面确定层，采用BaO+Al2O3
混合层以提高介电常数，组成Al2O3/BaO+Al2O3双层结构。
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