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    半导体器件及其制作工艺和检测方法<%=id%>


    分 类 号: H01L21/66;G01R31/26
    颁 证 日:
    优 先 权: 2001.10.31 JP 334892/2001
    申请(专利权)人: 夏普公司
    地 址: 日本大阪市
    发 明 (设计)人: 泽井敬一;地主修
    国 际 申 请:
    国 际 公 布:
    进入国家日期:
    专利 代理 机构: 中国专利代理(香港)有限公司
    代 理 人: 邹光新;梁永
    摘要
      在半导体器件内放置的半导体芯片中,当在焊盘(13)上的表面保护薄膜(14)处形成开口部分(2)时,使开口部分(2)有多个开口,每一个开口要小于探针(17)的电极头直径,并且以栅格图案或条状图案排布。在这种结构中,假如凸起电极(16)是完整形成,经过凸起电极(16)在探针(17)和焊盘(13)之间可以得到电连接。假如凸起电极(16)是不完整形成,开口(15)会阻止在探针(17)和焊盘(13)之间的电连接。
    主权项
      权利要求书 1.一种半导体器件,它包括: 一个半导体芯片; 一个在半导体芯片表面的预定位置处形成的焊盘; 一个在半导体芯片表面上但不包括焊盘表面部分形成的表面保 护薄膜; 一个在所述焊盘表面部分上的表面保护薄膜处留下的开口部 分;和 一个穿过开口部分和焊盘连接的凸起电极, 其中所述开口部分包括一个或多个其宽度小于预定值的开口, 开口在焊盘的一侧有一个第一开口端并且在与第一开口端相对 的一侧有一个第二开口端,和 由在焊盘表面垂直方向的凸起的第一开口端和第二开口端形成 的重叠区的宽度小于用来测量半导体器件电特性的探针的电极头直 径。
         

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