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分 类 号：
H01L27/10;G11C11/22
颁 证 日：
优 先 权：
2001.11.1 JP 336576/2001
申请(专利权)人：
富士通株式会社
地 址：
日本神奈川
发 明 (设计)人：
倉泽正树;丸山研二
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代 理 人：
王以平
摘要
本发明涉及一种铁电电容器和半导体器件，所述铁电电容器(30)包括：下电极(33)；在下电极(33)上形成并具有钙钛矿型结构的铁电膜(34)；以及在铁电膜(34)上形成的上电极(35)。铁电膜(34)包括：具有第一晶系的第一铁电膜部分(34A、34C)，它沿与下电极(33)和上电极(35)中至少一个的至少一个界面上形成；以及具有第二晶系的第二铁电膜部分(34B)，第二晶系不同于第一晶系。
主权项
权利要求书
1.一种铁电电容器(30)，其中包括：
下电极(33)；
在所述下电极(33)上形成并具有钙钛矿型结构的铁电膜(34)；
以及
在所述铁电膜(34)上形成的上电极(35)，
所述铁电电容器(30)的特征在于，所述铁电膜(34)包括：具
有第一晶系的第一铁电膜部分(34A、34C)，它沿与所述下电极(33)
和所述上电极(35)中至少一个的至少一个界面上形成；以及具有第
二晶系的第二铁电膜部分(34B)，所述第二晶系不同于所述第一晶系。
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