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分 类 号：
H01L27/115;G11C16/00
颁 证 日：
优 先 权：
申请(专利权)人：
力旺电子股份有限公司
地 址：
台湾省新竹市
发 明 (设计)人：
杨青松;沈士杰;徐清祥
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
北京三友知识产权代理有限公司
代 理 人：
李强
摘要
一种可擦写可编程只读存储器，至少包含两串接的P型金氧半场效晶体管，其中第一P型金氧半场效晶体管(PMOS)做为选择晶体管(selecttra istor)，其闸极连接至选择闸极电位(VSG)，第一端点(源极)连接至源极线电位(VSL)，第二端点(汲极)则串接至第二P型金氧半场效晶体管(PMOS)的第一端点，该第二P型金氧半场效晶体管(PMOS)的第二端点连接至位元线电位(VBL)，上述第二P型金氧半场效晶体管(PMOS)的闸极做为浮置闸极，上述非挥发性存储器的特征为不需控制闸极施加特定偏压下执行编程模式，利用适当的偏压条件，以将载子“自动”注入上述浮置闸极。
主权项
权利要求书
1.一种可擦写可编程只读存储器，其特征是：至少包含：
两串接的P型金氧半场效晶体管，其中第一P型金氧半场效晶体管
(PMOS)做为选择晶体管(select tra istor)，其闸极耦合至选择闸
极电位(VSG)，第一端点(源极)连接至源极线电位(VSL)第二端点(汲
极)则串接至第二P型金氧半场效晶体管(PMOS)的第一端点，该第二P型
金氧半场效晶体管(PMOS)的第二端点连接至位元线电位(VBL)，上述
第二P型金氧半场效晶体管(PMOS)的闸极做为浮置闸极，该单一复晶
体矽埋入式可擦写可编程只读存储器不需控制闸极施加特定偏压下执行编
程模式，利用适当的偏压条件，以将载子“自动”注入上述浮置闸极。
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