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分 类 号：
H01L27/14
颁 证 日：
优 先 权：
2001.11.2 US 09/682,945
申请(专利权)人：
联华电子股份有限公司
地 址：
台湾省新竹市
发 明 (设计)人：
陈重尧;林震宾
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
北京三友知识产权代理有限公司
代 理 人：
陈红
摘要
本发明提供一种互补式金氧半导体影像感测元件(CMOS imagese or)，该影像感测元件制作于一半导体晶片上，且该半导体晶片表面包含有一第一导电型式的硅基底。该影像感测元件包含有：一光感测区，由一第二导电型式的浅掺杂区所构成，且该浅掺杂区形成于该基底表面的一第一预定深度；一第二预定深度的绝缘层设于该基底的表面并环绕于该光感测区周围，且该第二预定深度大于该第一预定深度；一金氧半导体晶体管(MOS tra istor)制作于该半导体晶片上并电连接于该光感测区；以及一第一导电型式的深掺杂区形成于该绝缘层下方的基底中，且该深掺杂区的掺质浓度与深度呈一高斯分布(Gau distribution)。
主权项
权利要求书
1.一种互补式金氧半导体影像感测元件，该影像感测元件制作于一
半导体晶片上，且该半导体晶片表面包含有一第一导电型式的硅基底，其
特征是：该影像感测元件包含有：
一光感测区，由一第二导电型式的浅掺杂区所构成，且该浅掺杂区
形成于该基底表面的一第一预定深度；
一第二预定深度的绝缘层，设于该基底的表面并环绕于该光感测区
周围，且该第二预定深度大于该第一预定深度；
一金氧半导体晶体管，制作于该半导体晶片上并电连接于该光感测
区；以及
一第一导电型式的深掺杂区形成于该绝缘层下方的基底中，且该深
掺杂区的掺质浓度与深度呈一高斯分布。
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