发光二极管及其制造方法<%=id%>

分类号： H01L33/00
颁证日：
优先权：
申请(专利权)人：国联光电科技股份有限公司
地址：台湾省新竹
发明 (设计)人：林锦源;杨光能
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：汤保平
摘要
　本发明是采用一种不吸光的透明黏接层，来黏结具有吸光基板(A orption Su trate，AS)的发光二极管磊芯片及透明基板(Tra arent Su trate，TS)。接着将吸光的基板除去，形成具有透明基板的发光二极管；由于采用透明基板不会吸光，因此可大幅提高发光二极管的发光效率；同时由信道连接欧姆接点与钉线电极层，在固定电流下可降低电压及提高电流分布，以提升发光二极管的发光效益。
主权项
　权利要求书 1、一种发光二极管，其特征在于，包含：一多层磷化铝镓铟磊晶层结构，该磊晶层结构包含一上包覆层，一活性层，以及一下包覆层；一欧姆接点磊晶层形成于该上包覆层上；一第一欧姆接点金属电极层形成于该第一欧姆接点磊晶层上；一透明黏接层；一透明基板以该透明黏接层黏合于该第一欧姆接点金属电极层上；一第二欧姆接点金属电极层形成于该下包覆层上；一第一金属钉线电极层形成于该第一欧姆接点磊晶层上；一第二金属钉线电极层形成于该第二欧姆接点金属电极层上；以及一电极信道，用以电气连接该第一金属钉线电极层与该第一欧姆接点金属电极层；其中，相对于该透明基板，该第一金属钉线电极层与该第二金属钉线电极层是位于同一侧。

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