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r>分 类 号：
H01L21/20;H01L21/36
颁 证 日：
优 先 权：
2000.2.10 US 09/502,023
申请(专利权)人：
摩托罗拉公司
地 址：
美国伊利诺斯
发 明 (设计)人：
贾马尔·拉姆戴尼
国 际 申 请：
CT/US01/04209 2001.2.8
国 际 公 布：
WO01/59820 英 2001.8.16
进入国家日期：
2002.08.09
专利 代理 机构：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代 理 人：
付建军
摘要
通过首先生长一个适应缓冲层(24)可以生长高质量的化合物半导体材料的外延层，覆盖晶格不匹配的基片，最好为硅基片。适应缓冲层是通过优选的氧化硅的无定形氧化物分界层(28)与基片(22)相分隔的单晶绝缘体(24)的层面。该无定形分界层消除应力，并且允许生长高质量的单晶绝缘体适应缓冲层(24)，其最好为例如碱土金属钛化物、锆化物等等这样的钙钛矿氧化物材料。
主权项
权利要求书
1.一种半导体结构，其中包括：
单晶硅基片；
覆盖该单晶硅基片的无定形氧化物材料；
覆盖该无定形氧化物材料的单晶钙钛矿氧化物材料；以及
覆盖该单晶钙钛矿氧化物材料的单晶化合物半导体材料。
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