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分 类 号：
H03F3/195;H01L29/737;H01L29/205
颁 证 日：
优 先 权：
2001.1.10 JP 002476/2001
申请(专利权)人：
三菱电机株式会社
地 址：
日本东京都
发 明 (设计)人：
森一富;新庄真太郎;前村公正;紫村辉之
国 际 申 请：
CT/JP01/03953 2001.5.11
国 际 公 布：
WO02/056461 日 2002.7.18
进入国家日期：
2002.09.10
专利 代理 机构：
中国专利代理(香港)有限公司
代 理 人：
刘宗杰;王忠忠
摘要
本发明的高频半导体器件用于抑制多路HBT的电流集中，同时改善噪声特性的恶化、增益的降低、及功率效率的降低，在构成放大器(10)的初级及输出级的多路HBT中，构成该初级多路HBT(12)的基本HBT(14)由HBT(14a)和与该HBT(14a)的发射极连接的发射极电阻14b构成，构成输出级的多路HBT(16)的基本HBT(18)由HBT(18a)和与该HBT(18a)的基极连接的基极电阻(18c)构成。本发明的高频半导体器件适用作卫星通信、地面微波通信、移动通信等使用的高输出功率放大器。
主权项
权利要求书
1、一种高频半导体器件，包括：
放大电路的第1部分，将多个第1基本晶体管并联连接并配设在
第1半导体衬底上，该第1基本晶体管具有异质结构造的第1双极型
晶体管和与该第1双极型晶体管的发射极串联连接的电阻值为RE1的
发射极电阻；和
放大电路的第2部分，将多个第2基本晶体管并联连接并配设在
第2半导体衬底上，该第2基本晶体管放大该第1部分的输出信号，
并且具有异质结构造的第2双极型晶体管和与该第2双极型晶体管的
基极串联连接的电阻值为RB2的基极电阻。
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