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家日期：
专利 代理 机构： 中科专利商标代理有限责任公司
代 理 人： 戎志敏
摘要
一种低应力超厚氮硅化合物薄膜沉积方法。源为氩气稀释的SiH4，浓度为1－30％；硅烷的流量为1.5－6L/min；氨气的流量为0.01－0.2L/min；生长温度为750℃－1000℃；硅烷和氨气的比例为25∶1－120∶1；真空系统的抽速为15L/min－2000L/min。本发明提出的方法能够生长出一种内应力极低的低应力氮化硅，采用普通的LPCVD(低压化学气相沉积)设备，在850℃，淀积厚度超过15微米的低应力氮化硅。这种薄膜能够进行三维立体加工。
主权项
权利要求书 1.一种低应力超厚氮硅化合物薄膜沉积方法，其特征在于方法包括：源为氩气稀释的SiH4，浓度为1-30％；硅烷的流量： 1.5-6L/min；氨气的流量： 0.01-0.2L/min；硅烷和氨气的比例： 25∶1-120∶1；生长温度： 750℃-1000℃；真空系统的抽速为15L/min-2000L/min。
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