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低介电常数材料以及通过CVD的加工方法<%=id%> |
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;R·N·弗蒂斯
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构： 中国专利代理(香港)有限公司
代 理 人： 卢新华;邰红
摘要
本发明披露了一种有机氟硅酸盐玻璃薄膜，所述薄膜包含有机物和无机物，不包括明显量的氟碳物。优选的薄膜由下式表示：SivOwCxHyFz，式中v+w+x+y+z＝100％，v从10－35原子％，w从10－65原子％，y从10－50原子％，x从1－30原子％，z从0.1－15原子％，x/z任选地大于0.25，其中，基本上没有氟连接至碳上。另外本发明还提供了一种CVD方法，包括：(a)在真空室内提供基材；(b)将气相反应剂引入真空室中，所述反应剂包含供氟气体、供氧气体、和至少一种选自有机硅烷和有机硅氧烷的前体气体；和(c)对所述室中的气相反应剂施加能量，以使气相反应剂发生反应并在基材上形成薄膜。
主权项
权利要求书 1.一种由式SivOwCxHyFz表示的薄膜，式中v+w+x+y+z＝100％，v从 10-35原子％，w从10-65原子％，y从10-50原子％，x从2-30原子％， z从0.1-15原子％，其中，基本上没有氟连接至碳上。
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