巨磁电阻（GMR）效应器件<%=id%>

所属分类：	电子微电子	项目来源：	攀登计划
技术持有方姓名：	南京大学物理系	所在地域：	江苏
是否中介：	否	是否重点项目：	否
技术简介：	通常磁电阻是指由磁场引起的导电材料中电阻率的变化，定量表示为MR=[P（H）——P（O）]PX100%，其中P可是P（O）或P（H）。对一般铁磁体，MR最大为3-5%，且各向异性称之为各向异性磁电阻（Anisotropy magnitroresistance 简记AMR）。 1988年，观察到Fe/Cr金属层膜的磁电阻可达200%，称之巨磁电阻效应(Giant magnetroresistance GMR).此后相继在某些非互溶合金颗粒膜。金属--氧化物--金属隧道结，掺碱土金属衡土锰氧化物中发现了很大的磁电阻效应。巨磁电阻效应有明显的应用前景，本项目研究所在国家攀登计划支持下，研制成一系列巨磁电阻效应器件。其主要特点是使用方便。功能强、体积小、全密封、全固态、无触点、无任何机械动作部件、耐冲击、抗腐蚀、抗辐射、防爆，可用于环境恶劣场合，可广泛使用于机床电器、机电一体化产品、电力系统、汽车行业、电机系统等。该项目已研制成的产品，国内外均无同样品种。因其技术含量高，产品用材少，若按传统类似产品的市场价格销售本项目产品，初估毛利率可达300%以上。要求投资者有新产品推广能力。