底部三面保护的硅尖制作方法<%=id%>

所属分类：	计算机及信息技术	项目来源：	自创
技术持有方姓名：	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	所在地域：	上海
是否中介：	否	是否重点项目：	否
技术简介：	该发明专利是一种底部三面保护的硅尖制作方法。首先，在（100）硅片的正面和背面挖二条相交的槽，再用二氧化硅保护槽的表面和硅片的正面及背面，形成二个侧面和一个硅片背面的三面保护；然后，光刻正面在各向异性液中自硅片的上表面向下进行各向异性腐蚀，当腐蚀深度到达底部两个槽的顶部以后，腐蚀限制在三个方向上；最后，形成由一个漫腐蚀面和每条槽的一个侧面的三个面围成的硅尖。两相交的槽可以呈任意角，最常用的是90度腐蚀方向被限制在x、y、-z三个方面。该专利制作工艺简单，克服了现有技术中腐蚀过度或不足造成的掩膜脱落现象，且重复性好。