0.1μm级刻蚀技术<%=id%>

所属分类：	计算机及信息技术	项目来源：	自创
技术持有方姓名：	中国科学院微电子中心	所在地域：	北京
是否中介：	否	是否重点项目：	否
技术简介：	到2000年，集成电路生产技术已经过渡到0.18μm。台湾的TSMC公司已经在2000年第四季度开始用0.13μm工艺技术为7家客户加工芯片。国内虽然有几家合资公司在采用0.35μm工艺技术，但并未掌握真正的核心技术。干法刻蚀技术是深亚微米级生产技术中的关键技术，尤其是高密度等离子体刻蚀技术一直是国外公司竞相发展的重点。目前国外公司技术和设备价格昂贵，国内科研单位根本无力购买。ICP-98A型刻蚀机的研制成功打破了国外的技术垄断，目前已经研究成功0.1μm级硅、二氧化硅、Ta的陡直刻蚀技术。经国际查新确认：0.1μm-0.15μm的Si、SiO2、Ta等刻蚀技术已经达到国际先进水平，缩短了我国在这一领域与国际水平的差距。