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| 所属分类： |
新型材料 |
项目来源： |
自创 |
| 技术持有方姓名： |
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
所在地域： |
上海 |
| 是否中介： |
否 |
是否重点项目： |
否 |
技术简介：
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该发明专利是一种可用于相变存储器多级存储的相变材料。
所述的相变材料为掺杂氮或硼的Ge2Sb2Te5 存储材料，其掺杂量为0.01-10 原子百分比的氮或0.01-5 原子百分比的硼。
该相变材料结构状态的改变伴随着电阻性能的变化，其变化幅度可以达到多个数量级，脉冲电压可以使相变材料在不同的结构状态之间可逆转换，利用不同状态间电阻性能的改变可以实现相变存储器的多级存储，从而突破传统的“O ”与“1 ”的存储模式，并且可以在不改变存储器器件结构的情况下大幅度提高存储器的密度。
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