基于紫外光直写技术制作波导布拉格光栅的方法<%=id%>

所属分类：	新型材料	项目来源：	自创
技术持有方姓名：	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	所在地域：	上海
是否中介：	否	是否重点项目：	否
技术简介：	该专利是一种基于紫外光直写技术制作波导布拉格光栅的方法。其特征是：采用掺杂锗的二氧化硅基片，利用集成电路工艺在5102 基片上镀制一层掩模薄膜，并进行光刻，用腐蚀工艺制作出波导布拉格光栅的掩模图形，再利用紫外光源在二氧化硅基片表面上照射，使得二氧化硅基片的掺锗的波导芯层发生光学折射率变化，从而制作出波导布拉格光栅。用该方法制作布拉格光栅不仅简单易行，而且可以制作多种结构、多种参数的波导布拉格光栅，并可实现波导光栅的进一步集成，从而可降低成本，扩大．波导光栅的应用范围，提高波导光栅的生产效率和成品率。