自蔓延高温合成氮化硅镁粉体的制备方法<%=id%>

所属分类：	新型材料	项目来源：	自创
技术持有方姓名：	中国科学院上海硅酸盐研究所	所在地域：	上海
是否中介：	否	是否重点项目：	否
技术简介：	该发明专利是一种自蔓延高温合成氮化硅镁( MgSiN2）粉体的制备方法，属于陶瓷材料制备领域。该专利提出的制备方法为：镁粉与氮化硅粉按摩尔比3.0-4.0:1 混合，或加人少量卤化物添加剂，在1-1OMPa 的氮气或者氮气与氢气（95 ％-98 % : 5 ％-2 % ）的混合气中反应。在生产过程中，不需预先压块，反应在碳毡制的直立环状筒或盘状容器中进行。该专利所采用的自蔓延高温合成工艺与文献报道过的其他合成工艺相比，不仅具有无环境污染、能耗低、适合工业大规模生产的优点，而且合成产物的纯度高，氧含量可控制为＜0.5 % ，适用于制备高强度、高导热氮化硅和氮化铝陶瓷基板材料和微电子封装材料的添加剂等。