低比表面积高烧结活性氧化锆粉体的制作方法<%=id%>

所属分类：	新型材料	项目来源：	自创
技术持有方姓名：	中国科学院上海硅酸盐研究所	所在地域：	上海
是否中介：	否	是否重点项目：	否
技术简介：	该发明专利是低比表面积高烧结活性氧化错粉体的制作方法。该专利提出的制备工艺是：以氧氯化错，硝酸钇为原料，氨水为沉淀剂，反应生成的氢氧化物沉淀经水洗、干燥、锻烧、球磨、喷雾造粒得到晶粒小、团聚少的低比表面积高烧结活性氧化错粉体。其特征是制备工艺简单、工艺参数易控制、易于大规模低成本工业化生产。该专利通过调节母液的浓度及pH 值，在适宜的温度下锻烧，添加适量的烧结助剂，制备了团聚少、晶粒小、烧结活性高的纳米氧化错粉体。所得的氧化错粉体的比表面积小于12m2/g ，适于各种柔性成型方法，同时烧结性能好，粉体等静压后，1450 ℃ 烧结密度高于99.OTD % ( 6.02g/cm3 ）。