水基流延法制备高热导率氮化铝陶瓷基片的方法<%=id%>

所属分类：	新型材料	项目来源：	自创
技术持有方姓名：	中国科学院上海硅酸盐研究所	所在地域：	上海
是否中介：	否	是否重点项目：	否
技术简介：	该发明专利涉及一种水基流延法制备集成电路氮化铝陶瓷基片的方法。该方法的主要技术特征是：把经过磷酸处理的氮化铝粉末、烧结助剂和有机添加剂按照以下配方制备成浆料：氮化铝粉末40wt％-6Owt% ；氧化钇0. 5 wt ％-2wt %；氧化镝1wt ％-3wt % ；水10wt ％-20wt % ；聚丙烯酸醋乳浊液0.2 wt％-lwt % ；聚乙烯醇乳浊液20 wt％-40wt% ；甘油2wt％-5wt％。将配制好的氮化铝浆料流延成型制备成素坯膜，素坯膜经排胶、烧结制备成氮化铝基片。用该专利方法制备基片具有成本低、无污染的特点，所得的基片热导率高，表面平整，适合大规模工业生产。