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| 所属分类： |
新型材料 |
项目来源： |
攀登计划 |
| 技术持有方姓名： |
中国科学院北京国家技术转移中心 冯贾娟 |
所在地域： |
北京 |
| 是否中介： |
否 |
是否重点项目： |
否 |
技术简介：
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自1993 年GaN 外延技术被突破以后，CaN 基材料被用于制造高效率、长寿命、低功率、高亮度的紫光、蓝光、绿光发光二极管，已在国际上形成一大批高科技产业。此外利用紫外光、蓝光激发荧光粉所制成的固态白光光源，将引发全球照明一攀命，世界各国给予了高度关注。
作为第三代半导体的氮化稼发展较晚的原因是GaN 外延材料制备困难。其中无晶格匹配衬底、GaN / AIGaN 、GaN / lnGaN 的强压电效应、InGaN 生长相分凝现象等因素会直接影响晶体质量和LED 的发光效率。作为在蓝宝石衬底上生长的GaN 宽禁带半导体材料，在器件制造方面还存在一系列器件特殊工艺问题有待解决。
中国科学院物理研究所研究采用全新的机制，通过向企业融资的方式，在物理所建立了一介联合实验室。与此同时，还得到了国家“973 ”计划“重乳化稼基发光二极管外延材料与器件制备产业化关键技术”专项的支持。在一年时间内完成了高亮度蓝光GaN 发光材料与器件的研究、开发与中试的全过程，基本解决了从外延材料生长到器件工艺探索的全部技术难题，向国家专利局申请了7 项专利，其中3 项为发明专利，4 项为实用新型专利。
该项目制造的高亮度蓝光GaN LED 的性能达到了国际水平。蓝光LED 输出功率＞4mW( 2 0mA ) ,正向电压3.1-3.3V ，反向电流＜1μA ( 5V ）。器件性能已得到国内外用户的普遍认可。所建立的工艺规范及生产流程已可向规模生产转移。
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