氯化铝陶瓷制品开发<%=id%>

所属分类：	新型材料	项目来源：	自创
技术持有方姓名：	湖南大学	所在地域：	湖南
是否中介：	否	是否重点项目：	否
技术简介：	项目内容：随着电子信息产业向着大功率集成电路和超大规模集成电路的发展，集成电路用基板材料不仅要求绝缘性能好，同时对散热性能和机械强度也提出更高要求，还有作为电子元件，如大功率电力机车整流散热板，也有同样的要求。作为这类元件材料，最常用的有Al2O3陶瓷，它不仅具有良好的规强度及电绝缘性，并且成本低、制备工艺成熟，但导热率仅为20W／m·K，不能适应大规模集成电路发展的要求，因此世界上一些发达国家从上世纪80年代初期开始积极从事高导热瓷基片材料开发工作。其中，AlN陶瓷的性能最为优异，曰本对AlN开发得很早，技术也很成熟，曾研制出260W／m·K的AlN陶瓷。本项目改进配方及烧成工艺，提高了晶界相的移动速度，通过电子显微镜观察及电子探针分析，按常规工艺烧结方法，在1900℃保温4小时的AlN晶界上存在不少的AIN－Y2O3晶界相，而采取本方法在相同的温度及时间下，AlN陶瓷的晶界上已观察不到AlN-Y2O3相。因此，得到导热率在23W／m·K以上的AlN陶瓷。