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γ-LiAlO2/α-Al2O3复合衬底材料的制备方法<%=id%> |
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所属分类: |
新型材料 |
项目来源: |
自创 |
技术持有方姓名: |
中国科学院上海光学精密机械研究所 |
所在地域: |
上海 |
是否中介: |
否 |
是否重点项目: |
否 |
技术简介: |
其制备过程包括如下具体步骤:在铂金坩埚内,放置有带气扎的LiAlO2和Li2O混合料块;将双面抛光或单面抛光的蓝宝石α-Al2O3晶片置于或悬于铂金丝上,加上覆盖有LiAlO2和Li2O混合粉料和热电偶的坩埚,坩埚顶部铂金盖密闭,置于电阻炉中;该电阻炉加热升温至1000-1400℃,恒温20-100小时,Li2O扩散到α-Al2O3晶片中,降温后可得到γ-LiAlO2/α-Al2O3复合衬底材料。 该专利克服了α-Al2O3衬底晶格失配度大和难以获得大尺寸高质量LiAlO2单晶衬底等问题,可用于生长高质量InN-GaN薄膜外延生长。
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