碲镉汞材料离子注入P-N结产生损伤的修复方法<%=id%>

所属分类：	新型材料	项目来源：	自创
技术持有方姓名：	中国科学院上海技术物理研究所上海尼赛拉电子元件有限公司	所在地域：	上海
是否中介：	否	是否重点项目：	否
技术简介：	利用该方法只需在常规的碲镉汞材料离子注入形成P-N结的工艺后，再用较小剂量、较低束流密度的离子再次注入该区。再注入的离子可以起到非平衡动态后处理的作用，使注入离子形成的P-N结性能有较明显改善，从而提高了光伏型红外探测器的性能。