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| 所属分类： |
新型材料 |
项目来源： |
自创 |
| 技术持有方姓名： |
中国科学院等离子体物理研究所 |
所在地域： |
安徽 |
| 是否中介： |
否 |
是否重点项目： |
否 |
技术简介：
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该薄膜是一种二氧化钛TiO2、二氧化锡SnO2、三氧化钨WO3、氧化锌ZnO或氧化锆ZrO半导体材料薄膜，薄膜中有不规则孔。
其制备方法包括以下步骤：1、制备半导体材料的纳米胶体溶液；2、加热，使胶体溶液变成有团聚颗粒沉淀的乳浊液；3、浓缩乳浊液；4、加入高分子表面活性剂并拌均成浆料；5、将浆料涂膜一次或多次；6、烧结。
该专利通过制成多层膜，渗入大颗粒，使光电转换效率提高10%-30%。
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